Samsung e Broadcom fecham acordo bilionário em chips de IA

Memorando prevê colaboração até 2030 em memórias HBM, fabricação de semicondutores e tecnologias para infraestrutura de IA.

Samsung Broadcom chips

A Samsung Electronics e a Broadcom firmaram um memorando de entendimento para ampliar a cooperação em semicondutores destinados à infraestrutura de IA. As empresas estimam que a parceria nas áreas de memória e foundry ultrapasse US$ 200 bilhões até 2030.

O acordo foi anunciado durante o AI Summit, realizado em São Francisco, e concentra a colaboração em três frentes: memórias de alta largura de banda (HBM), fabricação de semicondutores em processos de 2 nanômetros e inferiores e tecnologias de empacotamento avançado.

Participaram da assinatura Jinman Han, presidente e chefe da Samsung Foundry; Hock Tan, presidente e CEO da Broadcom; Charlie Kawwas, presidente do Semiconductor Solutions Group da Broadcom; além de executivos das duas empresas e representantes do governo da Coreia do Sul.

As companhias não divulgaram a distribuição do valor estimado entre as diferentes áreas de cooperação nem informaram volumes de fornecimento ou compromissos mínimos de produção.

Memórias HBM

Pelo memorando, a Samsung fornecerá soluções High Bandwidth Memory (HBM) para a próxima geração de aceleradores de IA da Broadcom, além de colaborar no desenvolvimento desses produtos.

As memórias HBM são empregadas em aceleradores de IA por oferecerem elevada largura de banda para processamento de grandes volumes de dados, característica necessária para treinamento e inferência de modelos de inteligência artificial.

Na área de foundry, a Broadcom utilizará os processos de fabricação de 2 nanômetros e inferiores da Samsung para produzir componentes, incluindo soluções da divisão Wireless Broadband Communications (WBC).

A parceria também contempla tecnologias de empacotamento avançado, incluindo integrações 2.3D e 2.5D, voltadas ao aumento do desempenho e da eficiência energética de chips para IA e redes.

Executivos destacam integração

O vice-chairman e CEO da Samsung Device Solutions, Young Hyun Jun, afirmou que a expansão da IA está elevando a demanda por tecnologias integradas de memória, lógica e empacotamento avançado. Segundo ele, a parceria com a Broadcom busca acelerar o desenvolvimento da infraestrutura de IA.

Já Charlie Kawwas, presidente do Semiconductor Solutions Group da Broadcom, afirmou que a expansão da infraestrutura de IA torna cada vez mais importante a colaboração entre empresas da cadeia global de semicondutores.

O anúncio ocorre em meio à ampliação das iniciativas da Samsung no mercado de semicondutores para IA. Em junho, Young Hyun Jun reuniu-se com o CEO da Nvidia, Jensen Huang, para discutir futuras gerações de memórias HBM4E e HBM5.

Em 2025, a Samsung anunciou um contrato de US$ 16,5 bilhões para fornecimento de semicondutores à Tesla. A empresa também divulgou um acordo para fabricar um modem com recursos de IA destinado ao sistema de conectividade via satélite da Starlink.

A fabricante sul-coreana também busca ampliar sua participação no mercado global de serviços de foundry, segmento liderado pela TSMC.

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Da Redação

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