Superintendência do Cade pede condenação de cartel de memória DRAM
A Superintendência-Geral do Conselho Administrativo de Defesa Econômica (Cade) recomendou, em parecer publicado nesta segunda-feira, 28, a condenação de cinco empresas e duas pessoas físicas por formação de cartel internacional, com efeitos no Brasil, no mercado de Memória Dinâmica de Acesso Aleatório (em inglês, Dynamic Random Access Memory – DRAM).
A memória DRAM é utilizada por computadores de todo tipo para armazenar informações de forma temporária, e tem a função de permitir a execução de cálculos mais rápidos pelos processadores. É embarcada em computadores pessoais, impressoras, modems, telefones celulares, roteadores, câmeras digitais, TVs, consoles de videogames, reprodutores de música digitais, entre outros.
As empresas acusadas são Elpida Memory Inc., Hitachi Ltd., Mitsubishi Electric Corp., Nanya Technology Corporation, Toshiba Corporation. De acordo com o parecer, o cartel operou entre 1988 e 2002. Durante o período, “afetou a concorrência no mercado de memória DRAM causando prejuízos no território nacional tanto às empresas que adquiriram o produto das representadas quanto aos consumidores finais de bens que utilizavam o produto”.
O processo administrativo no Brasil segue agora para julgamento pelo Tribunal do Cade, responsável pela decisão final. Caso sejam condenadas, as empresas deverão pagar multa que pode alcançar até 20% de seu faturamento no ano anterior ao de instauração do processo, no ramo de atividade afetado pelo cartel.
Outras empresas envolvidas no cartel assinaram um acordo com o Cade e pagaram multas que totalizaram R$ 8,2 milhões para encerrar o processo. Fora as empresas Infineon Technologies AG, Samsung Eletronics Company Ltd. Corp., Samsung Semiconductor, Inc., Micron Technology, Inc. e Hynix Semiconductor, Inc.; e mais 14 pessoas físicas. Pelo acordo, as empresas se comprometem a deixar de operar da mesma forma. Essas empresas apresentaram um “Histórico da Conduta” explicando o funcionamento do conluio e seu envolvimento nele.
Investigações em outros países
O cartel no mercado de DRAM foi investigado em outras jurisdições. Houve celebração de acordos com autoridades da concorrência da Comissão Europeia e Estados Unidos da América, além de acordos em ações privadas movidas por clientes afetados pelo conluio. Por exemplo, as empresas Hitachi Ltd., Mitsubishi Electric Corp. e Toshiba Corp. apresentaram petições por meio das quais concordaram em pagar, respectivamente, US$ 11,5 milhões, US$ 7,1 milhões e US$ 9,2 milhões, para encerrar as investigações no âmbito de uma ação privada perante a U.S. District Court, District of Northern California.
Em maio de 2010, a Comissão Europeia emitiu em seu sítio eletrônico o comunicado IP/10/586 informando a condenação das empresas Micron Technology, Inc., Infineon Technologies AG, Hynix Semiconductor Inc., Samsung Electronics Co., NEC Corporation, Toshiba Corp., Elpida Memory Inc., Hitachi Ltd., Mitsubishi Electric e Nanya Technology por prática de cartel internacional no mercado de memória DRAM.
Ainda segundo o comunicado, a Comissão Europeia firmou acordos com as empresas Samsung, Hynix, Infineon, NEC, Hitachi, Mitsubishi, Toshiba, Elpida e Nanya, aplicando multas que, somadas, resultaram em valor total superior a €330 milhões. A autoridade antitruste levou em consideração a cooperação das empresas com as investigações, aplicando porcentagens de redução da multa. Já a empresa Micron recebeu imunidade total por ter sido a primeira a revelar à autoridade europeia a existência do cartel.
